| 型号 | 驱动对象 | 峰值驱动电流(A) | 输出通道 | 母线电压(V) | VCC(Max)(V) | 输入逻辑 | 延迟匹配(ns) | 封装类型 | 其他特性 | 环境温度（℃） | 产品等级 |
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HNBHD1030
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IGBT/MOSFET | 2 | 2 | 650 | 24 | HIN/LIN | <15 | SOP8, SOP16 | 宽输入范围，强拉出和灌入电流能力，ns级传播延时，内置欠压保护 | -40 ~ 105 | 工业级 |
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HNBHD1034
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IGBT/MOSFET | 0.6 | 2 | 650 | 24 | IN/SD_N | <15 | SOP8, SOP16 | 宽输入范围，强拉出和灌入电流能力，ns级传播延时，内置欠压保护 | -40 ~ 105 | 工业级 |
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HNBHD1036
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IGBT/MOSFET | 0.6 | 2 | 650 | 24 | HIN/LIN | <15 | SOP8, SOP16 | 宽输入范围，强拉出和灌入电流能力，ns级传播延时，内置欠压保护 | -40 ~ 105 | 工业级 |
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